N-Channel MOSFET, 2.1 A, 500 V, 3-Pin TO-220FP Vishay IRFI820GPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.8mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 25,00
€ 1,00 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 31,38
€ 1,255 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
25
€ 25,00
€ 1,00 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)
€ 31,38
€ 1,255 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Putki)
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Putki |
|---|---|---|
| 25 - 95 | € 1,00 | € 5,00 |
| 100 - 245 | € 0,917 | € 4,58 |
| 250 - 495 | € 0,75 | € 3,75 |
| 500+ | € 0,691 | € 3,46 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Package Type
TO-220FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
30 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.8mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.