Vishay N-Channel MOSFET, 3.6 A, 30 V, 3-Pin SOT-23 SI2304DDS-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 12,20
€ 0,244 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 15,31
€ 0,306 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
50
€ 12,20
€ 0,244 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 15,31
€ 0,306 1 kpl (50 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,244 | € 12,20 |
| 500 - 1200 | € 0,171 | € 8,55 |
| 1250 - 2450 | € 0,134 | € 6,70 |
| 2500 - 4950 | € 0,123 | € 6,15 |
| 5000+ | € 0,11 | € 5,50 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.