Vishay P-Channel MOSFET, 4.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 SI2323DDS-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Width
1.4mm
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 8 V
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.02mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 7,92
€ 0,396 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,94
€ 0,497 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
20
€ 7,92
€ 0,396 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 9,94
€ 0,497 1 kpl (20 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
20
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,396 | € 7,92 |
| 200 - 480 | € 0,294 | € 5,88 |
| 500 - 980 | € 0,246 | € 4,92 |
| 1000 - 1980 | € 0,219 | € 4,38 |
| 2000+ | € 0,159 | € 3,18 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Width
1.4mm
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 8 V
Number of Elements per Chip
1
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.02mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.