Vishay N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3

RS tilauskoodi: 710-3323Tuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SI4162DY-T1-GE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13.6 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 4,14

€ 0,827 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 5,19

€ 1,038 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 4,14

€ 0,827 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 5,19

€ 1,038 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Vishay N-Channel MOSFET, 13.6 A, 30 V, 8-Pin SOIC SI4162DY-T1-GE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 45€ 0,827€ 4,14
50 - 245€ 0,779€ 3,90
250 - 495€ 0,704€ 3,52
500 - 1245€ 0,662€ 3,31
1250+€ 0,622€ 3,11

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

13.6 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

20 nC @ 10 V, 8.8 nC @ 4.5 V

Width

4mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja