Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1

RS tilauskoodi: 827-0134Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BSS215PH6327XTSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.18 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Series

OptiMOS P

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.6 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
P-Channel MOSFET Transistor, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS215P
Hintaa ei saatavilla1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 46,50

€ 0,186 1 kpl (250 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 58,36

€ 0,233 1 kpl (250 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1

€ 46,50

€ 0,186 1 kpl (250 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 58,36

€ 0,233 1 kpl (250 kpl/kela) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 BSS215PH6327XTSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
250 - 250€ 0,186€ 46,50
500 - 1000€ 0,139€ 34,75
1250 - 2250€ 0,13€ 32,50
2500 - 6000€ 0,12€ 30,00
6250+€ 0,111€ 27,75

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
P-Channel MOSFET Transistor, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS215P
Hintaa ei saatavilla1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.18 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-23

Series

OptiMOS P

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

280 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

500 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Length

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

3.6 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Width

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
P-Channel MOSFET Transistor, 1.18 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Infineon BSS215P
Hintaa ei saatavilla1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)