Infineon HEXFET Dual N-Channel MOSFET Transistor & Diode, 5.4 A, 100 V, 8-Pin SO-8 IRF7490TRPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
HEXFET
Package Type
SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.039 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Number of Elements per Chip
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 1 680,00
€ 0,42 1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 108,40
€ 0,527 1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4000
€ 1 680,00
€ 0,42 1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 108,40
€ 0,527 1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.4 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
HEXFET
Package Type
SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.039 O
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
20V
Number of Elements per Chip
2
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.