Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin DPAK SPD30P06PGBTMA1

RS tilauskoodi: 898-6864Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: SPD30P06P G
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

SIPMOS®

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

32 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Forward Diode Voltage

1.7V

Height

2.41mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 13,00

€ 1,30 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 16,32

€ 1,632 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin DPAK SPD30P06PGBTMA1
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 13,00
20€ 26,00
30€ 39,00
40€ 52,00
50€ 62,50
60€ 75,00
70€ 87,50
80€ 100,00
90€ 112,50
100€ 125,00
110€ 137,50
120€ 150,00
130€ 162,50
140€ 175,00
150€ 187,50

€ 13,00

€ 1,30 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 16,32

€ 1,632 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin DPAK SPD30P06PGBTMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

10

Pakkauskoko 10
10€ 13,00
20€ 26,00
30€ 39,00
40€ 52,00
50€ 62,50
60€ 75,00
70€ 87,50
80€ 100,00
90€ 112,50
100€ 125,00
110€ 137,50
120€ 150,00
130€ 162,50
140€ 175,00
150€ 187,50

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 1,30€ 13,00
50 - 240€ 1,25€ 12,50
250 - 490€ 1,05€ 10,50
500 - 1240€ 0,899€ 8,99
1250+€ 0,715€ 7,15

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

SIPMOS®

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

32 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Forward Diode Voltage

1.7V

Height

2.41mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja