Nexperia N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002PW,115
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
260 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Width
1.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 12,00
€ 0,06 1 kpl (200 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 15,06
€ 0,075 1 kpl (200 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
200
€ 12,00
€ 0,06 1 kpl (200 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 15,06
€ 0,075 1 kpl (200 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
200
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
SOT-323
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
260 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Width
1.35mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1mm
Alkuperämaa
Malaysia
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.