STMicroelectronics BDX53C NPN Darlington Transistor, 8 A 100 V HFE:750, 3-Pin TO-220
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
750
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.2mA
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
9.15mm
Dimensions
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Width
4.6mm
Tuotetiedot
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 21,08
€ 0,843 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 26,45
€ 1,058 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Nauha)
25
€ 21,08
€ 0,843 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)
€ 26,45
€ 1,058 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Nauha)
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Nauha |
|---|---|---|
| 25 - 45 | € 0,843 | € 4,22 |
| 50 - 95 | € 0,744 | € 3,72 |
| 100 - 245 | € 0,646 | € 3,23 |
| 250+ | € 0,632 | € 3,16 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
8 A
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
750
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.2mA
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
9.15mm
Dimensions
10.4 x 4.6 x 9.15mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
10.4mm
Width
4.6mm
Tuotetiedot
NPN Darlington Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.