STMicroelectronics STripFET P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 3-Pin DPAK STD26P3LLH6

RS tilauskoodi: 792-5717Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: STD26P3LLH6
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

STripFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

45 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

40 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

6.2mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

2.4mm

Tuotetiedot

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 8,27

€ 0,827 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 10,38

€ 1,038 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STripFET P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 3-Pin DPAK STD26P3LLH6
Valitse pakkaustyyppi

€ 8,27

€ 0,827 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 10,38

€ 1,038 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics STripFET P-Channel MOSFET, 12 A, 30 V, 3-Pin DPAK STD26P3LLH6

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 10€ 0,827€ 8,27
20+€ 0,786€ 7,86

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

STripFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

45 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

40 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

6.2mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 4.5 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

2.4mm

Tuotetiedot

P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja