Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 51.4 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR876BDP-T1-RE3

RS tilauskoodi: 228-2912PTuotemerkki: VishayValmistajan osanumero.: SiR876BDP-T1-RE3
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

51.4 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0108 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 110,00

€ 1,10 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 138,05

€ 1,38 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 51.4 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR876BDP-T1-RE3
Valitse pakkaustyyppi

€ 110,00

€ 1,10 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 138,05

€ 1,38 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Vishay TrenchFET Dual N-Channel MOSFET, 51.4 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR876BDP-T1-RE3
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
100 - 240€ 1,10€ 11,00
250 - 490€ 0,989€ 9,89
500 - 990€ 0,931€ 9,31
1000+€ 0,872€ 8,72

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

51.4 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0108 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja