Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 7 A, 8.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMC3021LSD-13
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
7 A, 8.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ, 53 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
16.1 nC @ 10 V, 21.1 nC @ 4.5 V
Width
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
4.95mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.5mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 42,50
€ 0,34 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 53,34
€ 0,427 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
125
€ 42,50
€ 0,34 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 53,34
€ 0,427 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
125
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 125 - 600 | € 0,34 | € 8,50 |
| 625 - 1225 | € 0,283 | € 7,08 |
| 1250+ | € 0,228 | € 5,70 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
7 A, 8.5 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ, 53 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
16.1 nC @ 10 V, 21.1 nC @ 4.5 V
Width
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
4.95mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.5mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.