Diodes Inc Quad N/P-Channel MOSFET, 2.5 A, 7.8 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMHC3025LSD-13
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A, 7.8 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ, 80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Full Bridge
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
4
Width
3.95mm
Length
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.4 nC @ 10 V, 11.7 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.5mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 877,50
€ 0,351 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 101,26
€ 0,441 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 877,50
€ 0,351 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 101,26
€ 0,441 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
2500
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A, 7.8 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
40 mΩ, 80 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.5 W
Transistor Configuration
Full Bridge
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
4
Width
3.95mm
Length
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
11.4 nC @ 10 V, 11.7 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.5mm
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.