Infineon HEXFET Silicon P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin DPAK AUIRFR6215TRL

RS tilauskoodi: 229-1744Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: AUIRFR6215TRL
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Series

HEXFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.295 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 13,75

€ 2,75 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 17,26

€ 3,451 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Silicon P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin DPAK AUIRFR6215TRL

€ 13,75

€ 2,75 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 17,26

€ 3,451 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon HEXFET Silicon P-Channel MOSFET, 13 A, 150 V, 3-Pin DPAK AUIRFR6215TRL

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
5 - 45€ 2,75€ 13,75
50 - 120€ 2,45€ 12,25
125 - 245€ 2,30€ 11,50
250 - 495€ 2,15€ 10,75
500+€ 1,95€ 9,75

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Maximum Drain Source Voltage

150 V

Series

HEXFET

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.295 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja