Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 98 A, 120 V, 8-Pin TDSON BSC077N12NS3GATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
98 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Package Type
TDSON
Series
OptiMOS™ 3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
5.35mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
66 nC @ 10 V
Width
6.1mm
Transistor Material
Si
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 2,50
€ 2,50 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 3,14
€ 3,14 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
1
€ 2,50
€ 2,50 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 3,14
€ 3,14 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
98 A
Maximum Drain Source Voltage
120 V
Package Type
TDSON
Series
OptiMOS™ 3
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
139 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
5.35mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
66 nC @ 10 V
Width
6.1mm
Transistor Material
Si
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.