Infineon SIPMOS P-Channel MOSFET, 170 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS84PH6327XTSA2

RS tilauskoodi: 653-2288PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BSS84PH6327XTSA2
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

SIPMOS

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

1 nC @ 10 V

Width

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

2.9mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

€ 4,76

€ 0,238 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 5,97

€ 0,299 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon SIPMOS P-Channel MOSFET, 170 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS84PH6327XTSA2
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

20

Pakkauskoko 10
20€ 4,76
30€ 7,14
40€ 9,52
50€ 10,55
60€ 12,66
70€ 14,77
80€ 16,88
90€ 18,99
100€ 18,30
110€ 20,13
120€ 21,96
130€ 23,79
140€ 25,62
150€ 27,45
160€ 29,28

€ 4,76

€ 0,238 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 5,97

€ 0,299 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon SIPMOS P-Channel MOSFET, 170 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 BSS84PH6327XTSA2

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 10.

Tuotanto -

Pakkauskoko 10.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

20

Pakkauskoko 10
20€ 4,76
30€ 7,14
40€ 9,52
50€ 10,55
60€ 12,66
70€ 14,77
80€ 16,88
90€ 18,99
100€ 18,30
110€ 20,13
120€ 21,96
130€ 23,79
140€ 25,62
150€ 27,45
160€ 29,28

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhintaPer Kela
20 - 40€ 0,238€ 2,38
50 - 90€ 0,211€ 2,11
100 - 190€ 0,183€ 1,83
200+€ 0,179€ 1,79

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

SIPMOS

Package Type

SOT-23

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

8 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

360 mW

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

1 nC @ 10 V

Width

1.3mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

2.9mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut