Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD50N04S408ATMA1

RS tilauskoodi: 110-7766Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPD50N04S408ATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

OptiMOS™ -T2

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7.9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

46 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

17.2 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Length

6.5mm

Number of Elements per Chip

1

Height

2.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs

Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 15,98

€ 0,639 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 20,05

€ 0,802 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD50N04S408ATMA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 15,98

€ 0,639 kpl (toimitus teipissä) (ilman ALV)

€ 20,05

€ 0,802 kpl (toimitus teipissä) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS™ -T2 N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V, 3-Pin DPAK IPD50N04S408ATMA1

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Package Type

DPAK (TO-252)

Series

OptiMOS™ -T2

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7.9 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

46 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

17.2 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

6.22mm

Transistor Material

Si

Length

6.5mm

Number of Elements per Chip

1

Height

2.3mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.3V

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs

Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja