Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG16N10S461AATMA1

RS tilauskoodi: 214-9058PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPG16N10S461AATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

16 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

SuperSO8 5 x 6 Dual

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.061 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 75,80

€ 0,758 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 95,13

€ 0,951 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG16N10S461AATMA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 75,80

€ 0,758 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 95,13

€ 0,951 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 16 A, 100 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG16N10S461AATMA1

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhintaPer Kela
100 - 180€ 0,758€ 15,16
200 - 480€ 0,708€ 14,16
500 - 980€ 0,661€ 13,22
1000+€ 0,612€ 12,24

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

16 A

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Series

OptiMOS™ -T2

Package Type

SuperSO8 5 x 6 Dual

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.061 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Number of Elements per Chip

2

Transistor Material

Si

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja