Infineon OptiMOS™ 5 N-Channel MOSFET, 300 A, 100 V, 8-Pin HSOF-8 IPT015N10N5ATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
HSOF-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
10.58mm
Number of Elements per Chip
1
Length
10.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
169 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 6 600,00
€ 3,30 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 8 283,00
€ 4,142 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
€ 6 600,00
€ 3,30 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 8 283,00
€ 4,142 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
2000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
HSOF-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
10.58mm
Number of Elements per Chip
1
Length
10.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
169 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.