Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 5.2 A, 55 V, 3-Pin SOT-223 IRLL2705TRPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.2 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Series
HEXFET
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Width
3.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.739mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 852,50
€ 0,341 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 069,89
€ 0,428 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2500
€ 852,50
€ 0,341 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 1 069,89
€ 0,428 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
2500
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | € 0,341 | € 852,50 |
| 5000+ | € 0,324 | € 810,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.2 A
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Series
HEXFET
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-16 V, +16 V
Width
3.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
32 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.739mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.