Infineon P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF

RS tilauskoodi: 171-1913PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: SI4435DYTRPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

Si4435DYPbF

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Typical Power Gain

0

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 7,50

€ 0,75 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 9,41

€ 0,941 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 7,50

€ 0,75 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 9,41

€ 0,941 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
10 - 90€ 0,75€ 7,50
100 - 240€ 0,711€ 7,11
250 - 490€ 0,682€ 6,82
500 - 990€ 0,652€ 6,52
1000+€ 0,607€ 6,07

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

Si4435DYPbF

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Typical Power Gain

0

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja