onsemi N-Channel MOSFET, 200 mA, 60 V, 3-Pin TO-92 2N7000-D26Z
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.19mm
Length
5.2mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Height
5.33mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 222,00
€ 0,111 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 278,61
€ 0,139 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
€ 222,00
€ 0,111 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 278,61
€ 0,139 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 2000 - 4000 | € 0,111 | € 222,00 |
| 6000 - 8000 | € 0,108 | € 216,00 |
| 10000+ | € 0,106 | € 212,00 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
TO-92
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.19mm
Length
5.2mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Height
5.33mm
Alkuperämaa
China
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.