onsemi N-Channel MOSFET, 240 A, 100 V, 8-Pin H-PSOF8L FDBL86066-F085
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
240 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
H-PSOF8L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
4.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
11.78mm
Length
9.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.25V
Height
2.4mm
Alkuperämaa
Philippines
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 3 200,00
€ 1,60 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4 016,00
€ 2,008 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
2000
€ 3 200,00
€ 1,60 1 kpl (2000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 4 016,00
€ 2,008 1 kpl (2000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
2000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
240 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
H-PSOF8L
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
4.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
11.78mm
Length
9.9mm
Typical Gate Charge @ Vgs
47 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.25V
Height
2.4mm
Alkuperämaa
Philippines
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.