onsemi Dual N-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V, 8-Pin SOIC NDS9945

RS tilauskoodi: 166-3245Tuotemerkki: onsemiValmistajan osanumero.: NDS9945
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Width

3.9mm

Length

4.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12.9 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.57mm

Tuotetiedot

Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 2 432,50

€ 0,973 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 3 052,79

€ 1,221 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V, 8-Pin SOIC NDS9945

€ 2 432,50

€ 0,973 1 kpl (2500 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 3 052,79

€ 1,221 1 kpl (2500 kpl/kela) (Sis ALV:n)

onsemi Dual N-Channel MOSFET, 3.5 A, 60 V, 8-Pin SOIC NDS9945
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

onsemi

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

300 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

2

Width

3.9mm

Length

4.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12.9 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Height

1.57mm

Tuotetiedot

Enhancement Mode Dual MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja