ROHM BSM Dual SiC N-Channel SiC Power Module, 120 A, 1200 V, 4-Pin C BSM120D12P2C005
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
BSM
Package Type
c
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
935 W
Number of Elements per Chip
2
Width
45.6mm
Transistor Material
SiC
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
122mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Height
17mm
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 505,00
€ 505,00 kpl (ilman ALV)
€ 633,78
€ 633,78 kpl (Sis ALV:n)
1
€ 505,00
€ 505,00 kpl (ilman ALV)
€ 633,78
€ 633,78 kpl (Sis ALV:n)
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
120 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
BSM
Package Type
c
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
4
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
935 W
Number of Elements per Chip
2
Width
45.6mm
Transistor Material
SiC
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
122mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Height
17mm
Alkuperämaa
Japan
Tuotetiedot
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.