ROHM SiC N-Channel MOSFET, 39 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4L SCT3060ARC15

RS tilauskoodi: 266-3888Tuotemerkki: ROHMValmistajan osanumero.: SCT3060ARC15
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

39 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-247-4L

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 15,10

€ 15,10 kpl (ilman ALV)

€ 18,95

€ 18,95 kpl (Sis ALV:n)

ROHM SiC N-Channel MOSFET, 39 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4L SCT3060ARC15
Valitse pakkaustyyppi

€ 15,10

€ 15,10 kpl (ilman ALV)

€ 18,95

€ 18,95 kpl (Sis ALV:n)

ROHM SiC N-Channel MOSFET, 39 A, 650 V, 4-Pin TO-247-4L SCT3060ARC15
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 9€ 15,10
10 - 24€ 13,90
25 - 49€ 13,60
50 - 99€ 13,40
100+€ 11,80

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

ROHM

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

39 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Package Type

TO-247-4L

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

4

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja