STMicroelectronics IRF630 N-channel MOSFET, 9 A, 200 V STripFET, 3-Pin TO-220

RS tilauskoodi: 486-0171PTuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: IRF630
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Series

STripFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

75 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

31 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

9.15mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 19,35

€ 0,774 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 24,28

€ 0,971 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics IRF630 N-channel MOSFET, 9 A, 200 V STripFET, 3-Pin TO-220
Valitse pakkaustyyppi

€ 19,35

€ 0,774 kpl (toimitus putkessa) (ilman ALV)

€ 24,28

€ 0,971 kpl (toimitus putkessa) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics IRF630 N-channel MOSFET, 9 A, 200 V STripFET, 3-Pin TO-220
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Putki
25 - 95€ 0,774€ 3,87
100 - 245€ 0,592€ 2,96
250 - 495€ 0,558€ 2,79
500+€ 0,523€ 2,62

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Series

STripFET

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

400 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

75 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

4.6mm

Typical Gate Charge @ Vgs

31 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10.4mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

9.15mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Tuotetiedot

N-Channel STripFET™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut