STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7

RS tilauskoodi: 214-960Tuotemerkki: STMicroelectronicsValmistajan osanumero.: SCT070H120G3-7
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

SCT

Package Type

H²PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 11 500,00

€ 11,50 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 14 432,50

€ 14,432 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7

€ 11 500,00

€ 11,50 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)

€ 14 432,50

€ 14,432 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)

STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 7-Pin H2PAK-7 SCT070H120G3-7
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Series

SCT

Package Type

H²PAK-7

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

7

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Alkuperämaa

China

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja