International Rectifier P-Channel MOSFET, 11 A, 30 V, 8-Pin SO-8 IRF7424TRPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
International RectifierChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
IRF7424PbF
Package Type
SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 2 312,00
€ 0,578 1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 901,56
€ 0,725 1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4000
€ 2 312,00
€ 0,578 1 kpl (4000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 2 901,56
€ 0,725 1 kpl (4000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
4000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
International RectifierChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
IRF7424PbF
Package Type
SO-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
22 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4mm
Length
5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
75 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.