NXP BC859CW PNP Bipolar Transistor, 100 mA, 30 V, 3-Pin UMT
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NXPTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Package Type
UMT
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1 x 2.2 x 1.35mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Hintaa ei saatavilla
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
50
Hintaa ei saatavilla
1 kpl (50 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
NXPTransistor Type
PNP
Maximum DC Collector Current
100 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
30 V
Package Type
UMT
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
200 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Dimensions
1 x 2.2 x 1.35mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.