onsemi Dual N-Channel MOSFET, 42 A, 60 V, 8-Pin DFN NTMFD5C674NLT1G
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
37 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
6.1mm
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 8,24
€ 0,824 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 10,34
€ 1,034 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
€ 8,24
€ 0,824 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 10,34
€ 1,034 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,824 | € 8,24 |
| 100 - 240 | € 0,694 | € 6,94 |
| 250 - 490 | € 0,675 | € 6,75 |
| 500 - 990 | € 0,658 | € 6,58 |
| 1000+ | € 0,64 | € 6,40 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
14.4 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
37 W
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
2
Width
6.1mm
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.7 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
Malaysia
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.