Vishay P-Channel MOSFET, 6 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 SI2333DDS-T1-GE3
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
19 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.02mm
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 37,90
€ 0,379 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 47,56
€ 0,476 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
100
€ 37,90
€ 0,379 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 47,56
€ 0,476 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
100
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Kela |
|---|---|---|
| 100 - 490 | € 0,379 | € 3,79 |
| 500 - 990 | € 0,344 | € 3,44 |
| 1000 - 2490 | € 0,323 | € 3,23 |
| 2500+ | € 0,303 | € 3,03 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
19 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
23 nC @ 8 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.02mm
Tuotetiedot
P-Channel MOSFET, 8V to 20V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.