NXP PMBFJ308,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 60mA, 3-Pin SOT-23

RS tilauskoodi: 626-3308Tuotemerkki: NXPValmistajan osanumero.: PMBFJ308,215
brand-logo
Näytä kaikki JFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

12 to 60mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

-25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Width

1.4mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

€ 1,23

€ 0,123 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,54

€ 0,154 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

NXP PMBFJ308,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 60mA, 3-Pin SOT-23
Valitse pakkaustyyppi

€ 1,23

€ 0,123 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 1,54

€ 0,154 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

NXP PMBFJ308,215 N-Channel JFET, 25 V, Idss 12 to 60mA, 3-Pin SOT-23

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

MääräYksikköhintaPer Pakkaus
10 - 40€ 0,123€ 1,23
50 - 90€ 0,112€ 1,12
100 - 240€ 0,105€ 1,05
250 - 490€ 0,10€ 1,00
500+€ 0,086€ 0,86

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

NXP

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

12 to 60mA

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V

Maximum Drain Gate Voltage

-25V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Mounting Type

Surface Mount

Package Type

SOT-23 (TO-236AB)

Pin Count

3

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Height

1mm

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

3mm

Width

1.4mm

Alkuperämaa

China

Tuotetiedot

N-channel JFET, NXP

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja