STMicroelectronics STGB20H60DF IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
40 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
167 W
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
10.4 x 9.35 x 4.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Tuotetiedot
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 0,92
€ 0,462 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,16
€ 0,58 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
2
€ 0,92
€ 0,462 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 1,16
€ 0,58 1 kpl (2 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Standardi
2
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
STMicroelectronicsMaximum Continuous Collector Current
40 A
Maximum Collector Emitter Voltage
600 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
167 W
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Channel Type
N
Pin Count
3
Transistor Configuration
Single
Dimensions
10.4 x 9.35 x 4.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Tuotetiedot
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.