Infineon 64kbit SPI FRAM Memory 8-Pin TDFN, FM25CL64B-DG
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Cypress SemiconductorMemory Size
64kbit
Organisation
8192 x 8 bit
Interface Type
SPI
Data Bus Width
8bit
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
TDFN
Pin Count
8
Dimensions
4.5 x 4 x 0.75mm
Length
4.5mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.65 V
Width
4mm
Height
0.75mm
Maximum Operating Temperature
+85 °C
Number of Bits per Word
8bit
Minimum Operating Supply Voltage
2.7 V
Number of Words
8192
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Tuotetiedot
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Hintaa ei saatavilla
1
Hintaa ei saatavilla
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
Cypress SemiconductorMemory Size
64kbit
Organisation
8192 x 8 bit
Interface Type
SPI
Data Bus Width
8bit
Mounting Type
Surface Mount
Package Type
TDFN
Pin Count
8
Dimensions
4.5 x 4 x 0.75mm
Length
4.5mm
Maximum Operating Supply Voltage
3.65 V
Width
4mm
Height
0.75mm
Maximum Operating Temperature
+85 °C
Number of Bits per Word
8bit
Minimum Operating Supply Voltage
2.7 V
Number of Words
8192
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Tuotetiedot
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.