Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 8.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMC3026LSD-13
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
8.2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
29 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 8,72
€ 0,436 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 10,94
€ 0,547 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
20
€ 8,72
€ 0,436 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 10,94
€ 0,547 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
20
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
8.2 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SOIC
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
29 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.95mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Length
4.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.2 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.5mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tuotetiedot
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.