Diodes Inc FZT603TA NPN Darlington Transistor, 2 A 80 V HFE:2000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.13 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.00001mA
Height
1.65mm
Width
3.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.65mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.7mm
Alkuperämaa
Germany
Tuotetiedot
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 279,00
€ 0,279 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 350,14
€ 0,35 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 279,00
€ 0,279 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 350,14
€ 0,35 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
2 A
Maximum Collector Emitter Voltage
80 V
Maximum Emitter Base Voltage
10 V
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.95 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.13 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.00001mA
Height
1.65mm
Width
3.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.65mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
6.7mm
Alkuperämaa
Germany
Tuotetiedot
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.