Diodes Inc N-Channel MOSFET, 1.7 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 ZXM61N02FTA
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
806 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.05mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 9,20
€ 0,368 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 11,55
€ 0,462 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
25
€ 9,20
€ 0,368 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 11,55
€ 0,462 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
25
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 25 - 125 | € 0,368 | € 9,20 |
| 150 - 725 | € 0,224 | € 5,60 |
| 750 - 1475 | € 0,219 | € 5,48 |
| 1500+ | € 0,214 | € 5,35 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.7 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
180 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.7V
Maximum Power Dissipation
806 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.05mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
3.4 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Height
1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.