Infineon BFP720H6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 25 mA, 13 V, 4-Pin SOT-343
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
25 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
13 V
Package Type
SOT-343
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
100 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
13 V
Maximum Emitter Base Voltage
1.2 V
Pin Count
4
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
2 x 1.25 x 0.9mm
Tuotetiedot
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.
Bipolar Transistors, Infineon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 3,87
€ 0,258 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 4,86
€ 0,324 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
15
€ 3,87
€ 0,258 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 4,86
€ 0,324 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
15
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
25 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
13 V
Package Type
SOT-343
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Power Dissipation
100 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
13 V
Maximum Emitter Base Voltage
1.2 V
Pin Count
4
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
2 x 1.25 x 0.9mm
Tuotetiedot
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.
Bipolar Transistors, Infineon
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.