Infineon N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 BSC009NE2LS5IATMA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
SuperSO8 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
1.35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
74 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+16 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.35mm
Length
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
36 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.62V
Height
1.1mm
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 12,00
€ 2,40 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 15,06
€ 3,012 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
€ 12,00
€ 2,40 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 15,06
€ 3,012 1 kpl (5 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
5
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,40 | € 12,00 |
| 25 - 45 | € 2,15 | € 10,75 |
| 50 - 120 | € 2,00 | € 10,00 |
| 125 - 245 | € 1,90 | € 9,50 |
| 250+ | € 1,75 | € 8,75 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
SuperSO8 5 x 6
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
1.35 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
74 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+16 V
Number of Elements per Chip
1
Width
6.35mm
Length
5.49mm
Typical Gate Charge @ Vgs
36 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
0.62V
Height
1.1mm
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.