Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

Infineon N-Channel MOSFET, 46 A, 60 V, 8-Pin TDSON BSC097N06NSATMA1

RS tilauskoodi: 110-9115Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BSC097N06NSATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

46 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™

Package Type

TDSON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

14.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

36 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

6.1mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

5.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 20,10

€ 0,804 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 25,23

€ 1,009 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon N-Channel MOSFET, 46 A, 60 V, 8-Pin TDSON BSC097N06NSATMA1
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 25.

Tuotanto -

Pakkauskoko 25.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

25

Pakkauskoko 25
25€ 20,10
50€ 40,20
75€ 60,30
100€ 80,40
125€ 100,50
150€ 120,60
175€ 140,70
200€ 160,80
225€ 180,90
250€ 201,00
275€ 221,10
300€ 241,20
325€ 261,30
350€ 281,40
375€ 301,50

€ 20,10

€ 0,804 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 25,23

€ 1,009 1 kpl (25 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon N-Channel MOSFET, 46 A, 60 V, 8-Pin TDSON BSC097N06NSATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Standardi

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 25.

Tuotanto -

Pakkauskoko 25.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

25

Pakkauskoko 25
25€ 20,10
50€ 40,20
75€ 60,30
100€ 80,40
125€ 100,50
150€ 120,60
175€ 140,70
200€ 160,80
225€ 180,90
250€ 201,00
275€ 221,10
300€ 241,20
325€ 261,30
350€ 281,40
375€ 301,50

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

46 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

OptiMOS™

Package Type

TDSON

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

14.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Maximum Power Dissipation

36 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

6.1mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

5.35mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja