Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET, 1.2 A, 100 V, 3-Pin SOT-223 BSP296NH6327XTSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.2 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
OptiMOS™
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
800 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 342,00
€ 0,342 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 429,21
€ 0,429 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
€ 342,00
€ 0,342 1 kpl (1000 kpl/kela) (ilman ALV)
€ 429,21
€ 0,429 1 kpl (1000 kpl/kela) (Sis ALV:n)
1000
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.2 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
OptiMOS™
Package Type
SOT-223
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
800 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.8V
Maximum Power Dissipation
1.8 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
3.5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Alkuperämaa
China
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™ Small Signal MOSFETs
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.