Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 1.17 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP315PH6327XTSA1

RS tilauskoodi: 826-9238PTuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: BSP315PH6327XTSA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.17 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

SIPMOS®

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

800 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

3.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

5.2 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 49,80

€ 0,498 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 62,50

€ 0,625 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 1.17 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP315PH6327XTSA1
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 50.

Tuotanto -

Pakkauskoko 50.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

100

Pakkauskoko 50
100€ 49,80
150€ 74,70
200€ 99,60
250€ 116,00
300€ 139,20
350€ 162,40
400€ 185,60
450€ 208,80
500€ 216,00
550€ 237,60
600€ 259,20
650€ 280,80
700€ 302,40
750€ 324,00
800€ 345,60

€ 49,80

€ 0,498 kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)

€ 62,50

€ 0,625 kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 1.17 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 BSP315PH6327XTSA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Tuotantopakkaus (Kela)

Valitse pakkaustyyppi

Standardi - each

Pakkauskoko 50.

Tuotanto -

Pakkauskoko 50.

Suositellaan tilattaessa suuria määriä. Tuotteet on pakattu valmiiksi koneisiin asennettaviksi, jolloin voit parantaa tuotannon tehokkuutta.

100

Pakkauskoko 50
100€ 49,80
150€ 74,70
200€ 99,60
250€ 116,00
300€ 139,20
350€ 162,40
400€ 185,60
450€ 208,80
500€ 216,00
550€ 237,60
600€ 259,20
650€ 280,80
700€ 302,40
750€ 324,00
800€ 345,60

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhintaPer Kela
100 - 200€ 0,498€ 24,90
250 - 450€ 0,464€ 23,20
500 - 1200€ 0,432€ 21,60
1250+€ 0,40€ 20,00

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

1.17 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Series

SIPMOS®

Package Type

SOT-223

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

800 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.8 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

3.5mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

5.2 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Tuotetiedot

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja