Infineon FF600R12ME4B72BOSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V, 11-Pin ECONODUAL
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
600 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Number of Transistors
2
Maximum Power Dissipation
20 mW
Package Type
ECONODUAL
Configuration
Dual
Channel Type
N
Pin Count
11
Transistor Configuration
Dual
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 2 000,00
€ 200,00 Each (In a Tray of 10) (ilman ALV)
€ 2 510,00
€ 251,00 Each (In a Tray of 10) (Sis ALV:n)
10
€ 2 000,00
€ 200,00 Each (In a Tray of 10) (ilman ALV)
€ 2 510,00
€ 251,00 Each (In a Tray of 10) (Sis ALV:n)
10
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
600 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Number of Transistors
2
Maximum Power Dissipation
20 mW
Package Type
ECONODUAL
Configuration
Dual
Channel Type
N
Pin Count
11
Transistor Configuration
Dual
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.