Infineon FP25R12W2T4PBPSA1 IGBT Module, 25 A 1200 V EASY2B
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
25 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
7
Package Type
EASY2B
Channel Type
N
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 918,00
€ 51,00 Each (In a Tray of 18) (ilman ALV)
€ 1 152,09
€ 64,005 Each (In a Tray of 18) (Sis ALV:n)
18
€ 918,00
€ 51,00 Each (In a Tray of 18) (ilman ALV)
€ 1 152,09
€ 64,005 Each (In a Tray of 18) (Sis ALV:n)
18
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
25 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20V
Maximum Power Dissipation
20 mW
Number of Transistors
7
Package Type
EASY2B
Channel Type
N
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.