Infineon IKW08T120FKSA1 IGBT, 16 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
16 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
70 W
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Switching Speed
20kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Gate Capacitance
600pF
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Energy Rating
2.28mJ
Tuotetiedot
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 14,60
€ 3,65 1 kpl (4 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 18,32
€ 4,581 1 kpl (4 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
4
€ 14,60
€ 3,65 1 kpl (4 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 18,32
€ 4,581 1 kpl (4 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Standardi
4
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 4 - 16 | € 3,65 | € 14,60 |
| 20 - 36 | € 3,50 | € 14,00 |
| 40 - 96 | € 3,35 | € 13,40 |
| 100 - 196 | € 3,10 | € 12,40 |
| 200+ | € 2,95 | € 11,80 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonMaximum Continuous Collector Current
16 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
70 W
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Channel Type
N
Pin Count
3
Switching Speed
20kHz
Transistor Configuration
Single
Dimensions
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Gate Capacitance
600pF
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Energy Rating
2.28mJ
Tuotetiedot
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.