Infineon OptiMOS™ 3 N-Channel MOSFET, 37 A, 150 V, 3-Pin TO-220 FP IPA105N15N3GXKSA1
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
OptiMOS™ 3
Package Type
TO-220 FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
11.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
40.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
41 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
16.15mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 19,00
€ 4,75 1 kpl (4 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 23,84
€ 5,961 1 kpl (4 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
4
€ 19,00
€ 4,75 1 kpl (4 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
€ 23,84
€ 5,961 1 kpl (4 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
4
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
| Määrä | Yksikköhinta | Per Pakkaus |
|---|---|---|
| 4 - 16 | € 4,75 | € 19,00 |
| 20 - 36 | € 4,55 | € 18,20 |
| 40 - 96 | € 4,35 | € 17,40 |
| 100 - 196 | € 4,15 | € 16,60 |
| 200+ | € 3,85 | € 15,40 |
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
37 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Series
OptiMOS™ 3
Package Type
TO-220 FP
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
11.1 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
40.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.85mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.65mm
Typical Gate Charge @ Vgs
41 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
16.15mm
Forward Diode Voltage
1.2V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Tuotetiedot
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.