Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD042P03L3GATMA1

RS tilauskoodi: 825-9051Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IPD042P03L3GATMA1
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

70 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

OptiMOS P

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

131 nC @ 10 V

Width

5.97mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.41mm

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
P-Channel MOSFET Transistor, 70 A, 30 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD042P03L3 G
Hintaa ei saatavilla1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 16,50

€ 1,65 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 20,71

€ 2,071 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD042P03L3GATMA1
Valitse pakkaustyyppi

€ 16,50

€ 1,65 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

€ 20,71

€ 2,071 1 kpl (10 kpl/pakkaus) (Sis ALV:n)

Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 70 A, 30 V, 3-Pin DPAK IPD042P03L3GATMA1
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
P-Channel MOSFET Transistor, 70 A, 30 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD042P03L3 G
Hintaa ei saatavilla1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

70 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

OptiMOS P

Package Type

DPAK (TO-252)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

6.8 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

150 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

131 nC @ 10 V

Width

5.97mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

2.41mm

Tuotetiedot

Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs

The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
P-Channel MOSFET Transistor, 70 A, 30 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD042P03L3 G
Hintaa ei saatavilla1 kpl (5 kpl/pakkaus) (ilman ALV)