Infineon P-Channel MOSFET, 12 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB IRF9Z24NPBF

RS tilauskoodi: 541-0799Tuotemerkki: InfineonValmistajan osanumero.: IRF9Z24NPBF
brand-logo
Näytä kaikki MOSFETs tuotteet

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

175 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Width

4.69mm

Number of Elements per Chip

1

Length

10.54mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

8.77mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V
Hintaa ei saatavillakpl (ilman ALV)
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

€ 0,80

€ 0,80 kpl (ilman ALV)

€ 1,00

€ 1,00 kpl (Sis ALV:n)

Infineon P-Channel MOSFET, 12 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB IRF9Z24NPBF
Valitse pakkaustyyppi

€ 0,80

€ 0,80 kpl (ilman ALV)

€ 1,00

€ 1,00 kpl (Sis ALV:n)

Infineon P-Channel MOSFET, 12 A, 55 V, 3-Pin TO-220AB IRF9Z24NPBF
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Valitse pakkaustyyppi

Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.

Tarkista myöhemmin uudelleen.

MääräYksikköhinta
1 - 24€ 0,80
25 - 49€ 0,67
50 - 99€ 0,63
100 - 249€ 0,60
250+€ 0,55

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V
Hintaa ei saatavillakpl (ilman ALV)

Tekninen dokumentti

Tekniset tiedot

Merkki

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

12 A

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220AB

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

175 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

45 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Typical Gate Charge @ Vgs

19 nC @ 10 V

Width

4.69mm

Number of Elements per Chip

1

Length

10.54mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Height

8.77mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.6V

Tuotetiedot

P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon

Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä

LIITY ILMAISEKSI

Ei piilokuluja!

design-spark
design-spark
  • Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
  • Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
  • Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Klikkaa tästä saadaksesi lisätietoja
Saatat olla kiinnostunut
P-channel MOSFET,IRF9Z24N 12A 55V
Hintaa ei saatavillakpl (ilman ALV)