Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 128 A, 75 V, 3-Pin D2PAK IRFS3307ZTRRPBF
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Series
HEXFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.0058 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
€ 92,50
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 116,09
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
50
€ 92,50
kpl (toimitus kelassa) (ilman ALV)
€ 116,09
kpl (toimitus kelassa) (Sis ALV:n)
Tuotantopakkaus (Kela)
50
Varastotiedot eivät ole tilapäisesti saatavilla.
Tarkista myöhemmin uudelleen.
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.
Tekninen dokumentti
Tekniset tiedot
Merkki
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
128 A
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Package Type
D2PAK (TO-263)
Series
HEXFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
0.0058 Ω
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Ideoi. Luo. Tee yhteistyötä
LIITY ILMAISEKSI
Ei piilokuluja!
- Lataa ja käytä DesignSpark-ohjelmistoamme piirilevyjen ja 3D-mekaniikan suunnitteluun.
- Selaa ja osallistu nettisivujen sisältöön ja keskusteluihin.
- Lataa 3D-malleja, piirustuksia ja pohjakuvia yli miljoonasta tuotteesta.